[发明专利]一种嵌位电压产生电路有效
| 申请号： | 201110344172.7 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103093821B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 冯国友 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌位电压产生电路，包括：运算放大器A1，其反相输入端连接参考电压，其正相输入端通过电阻R1内部接地，其输出端连接PMOS管P1和PMOS管P2的栅极；电源电压VDD，连接PMOS管P1、PMOS管P2和PMOS管P3的源极；PMOS管P1，其漏极通过串联的电阻R2和电阻R1内部接地；PMOS管P2，其漏极连接NMOS管N1的源极；PMOS管P3，其栅极与漏极短接后通过串联的电阻R4和电阻R3内部接地；NMOS管N1，其栅极与漏极短接后连接电路输出端，其源极通过电阻R3内部接地。本发明的嵌位电压产生电路能提高SA(Sense Amplifier，灵敏放大器)的“读”操作在不同电源电压、不同工艺角时的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 产生 电路 | ||
【主权项】：
一种嵌位电压产生电路，其特征在于，包括：运算放大器A1，其反相输入端连接参考电压，其正相输入端通过电阻R1内部接地，其输出端连接PMOS管P1和PMOS管P2的栅极；电源电压VDD，连接PMOS管P1、PMOS管P2和PMOS管P3的源极；PMOS管P1，其漏极通过串联的电阻R2和电阻R1内部接地；PMOS管P2，其漏极连接电路输出端，通过电阻R3内部接地，通过电阻R4连接PMOS管P3漏极；PMOS管P3，其栅极与漏极短接后通过串联的电阻R3和电阻R4内部接地；其中，在PMOS管P2和电阻R3之间还包括NMOS管N1，NMOS管N1栅极与漏极短接后连接PMOS管P2漏极，NMOS管N1源极通过电阻R3内部接地。
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