[发明专利]一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法无效
申请号: | 201110342504.8 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN102427096A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 杨峰;蔡芳共;赵勇 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人: | 陈树明 |
地址: | 610031 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法,其作法是:以钛箔为阳极,铂为阴极,对钛箔进行氧化,得非晶态TiO2纳米管阵列;经处理后,得TiO2纳米管阵列;将钛箔置于高温反应釜内,再将Na2S2O3、Bi(NO3)3水溶液注入密封反应釜,热处理得Bi2S3-TiO2纳米管阵列;在Bi2S3-TiO2纳米管阵列表面覆盖FTO,引出电极,在未生成Bi2S3-TiO2纳米管阵列的钛箔上引出电极,将FTO与钛箔及其Bi2S3-TiO2纳米管阵列的接触边缘封装即得本发明的光探测器。该方法能耗低,工艺、设备简单;制得物适用光谱范围大,适合做光谱分析;还可以做光敏开关等光电器件,具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 光谱 吸收 表面光 伏型光 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法,其具体作法是:a、TiO2纳米管阵列的制备及其晶化以钛箔为阳极,铂为阴极,0.25wt% NH4F的乙二醇溶液为电解液,对钛箔进行3‑6h的阳极氧化;取出钛箔,去离子水冲净,并超声处理5‑8min,在钛箔上得到非晶态TiO2纳米管阵列;将钛箔及其非晶态TiO2纳米管阵列以3‑20℃/min的速率升温至450℃,保温退火3‑4h,最后随炉冷却至室温,即在浸入电解液的钛箔部位生成锐钛矿型TiO2纳米管阵列,未浸入电解液的钛箔部位则无生成物附着;b、水热法制备Bi2S3‑TiO2纳米管阵列将Na2S2O3添加到持续搅拌的0.008‑0.01mol/L的Bi(NO3)3水溶液得反应液,加入的S与溶液中的Bi化学计量比为2∶3;然后将a步反应后的钛箔置于高温反应釜内的聚四氟乙烯内胆中,再将反应液注入,使反应液淹没TiO2纳米管阵列;最后密封反应釜,在100℃下热处理24h;取出钛箔,用去离子水冲洗,在50‑70℃烘干1‑3h,即在钛箔上已有锐钛矿型TiO2纳米管阵列的部位制得Bi2S3‑TiO2纳米管阵列,钛箔的其余部位仍为纯钛箔;c、探测器的组装在钛箔的Bi2S3‑TiO2纳米管阵列表面覆盖一块方块面电阻为10‑14欧的掺杂氟的SnO2透明导电玻璃,并在掺杂氟的SnO2透明导电玻璃上引出电极作为第一电极,在未生成Bi2S3‑TiO2纳米管阵列的钛箔部位引出电极作为第二电极,用热熔胶将掺杂氟的SnO2透明导电玻璃与钛箔及其Bi2S3‑TiO2纳米管阵列的边缘接触处进行封装,即得表面光伏型光探测器。
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