[发明专利]电阻型随机存取存储单元制造方法有效
| 申请号： | 201110341217.5 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094472A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 许宗能;杨兆宇;赵志勇;卢春山 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电阻型随机存取存储单元制造方法，包括以下步骤：在表面平整的第一金属层上形成电阻层；在所述电阻层上形成钝化层；刻蚀得到多个基本单元，所述基本单元包括依次叠加的第一金属层、电阻层以及钝化层；淀积绝缘介质层并作平坦化处理；刻蚀所述绝缘介质层及钝化层形成与所述基本单元对应的接触孔；在所述接触孔内填充金属连线；形成第二金属层。上述制造方法可在整个晶圆上得到均匀的电阻分布。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取 存储 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻型随机存取存储单元制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在表面平整的第一金属层上形成电阻层；在所述电阻层上形成钝化层；刻蚀得到多个基本单元，所述基本单元包括依次叠加的第一金属层、电阻层以及钝化层；淀积绝缘介质层并作平坦化处理；刻蚀所述绝缘介质层及钝化层形成与所述基本单元对应的接触孔；在所述接触孔内填充金属连线；形成第二金属层。
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