[发明专利]电阻型随机存取存储单元制造方法有效
| 申请号： | 201110341217.5 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094472A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 许宗能;杨兆宇;赵志勇;卢春山 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取 存储 单元 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电阻型随机存取存储单元制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在表面平整的第一金属层上形成电阻层；
在所述电阻层上形成钝化层；
刻蚀得到多个基本单元，所述基本单元包括依次叠加的第一金属层、电阻层以及钝化层；
淀积绝缘介质层并作平坦化处理；
刻蚀所述绝缘介质层及钝化层形成与所述基本单元对应的接触孔；
在所述接触孔内填充金属连线；
形成第二金属层。
2.如权利要求1所述的电阻型随机存取存储单元制造方法，其特征在于，所述在第一金属层上形成电阻层的步骤具体包括：
在所述第一金属层上淀积电阻基材层；
对所述电阻基材层氧化得到所述电阻基材层的氧化物，形成电阻层。
3.如权利要求2所述的电阻型随机存取存储单元制造方法，其特征在于，所述电阻基材层为钨金属层，所述电阻层为氧化钨层。
4.如权利要求1所述的电阻型随机存取存储单元制造方法，其特征在于，所述在电阻层上形成钝化层的步骤具体为采用化学气相沉积法在所述电阻层上淀积氮化物层。
5.如权利要求1所述的电阻型随机存取存储单元制造方法，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层均为铝层。
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