[发明专利]一种柔性不锈钢衬底铜铟镓硒薄膜电池及制备方法无效
申请号: | 201110340793.8 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN102509737A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 张毅;孙云;李博研;周志强;刘玮 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种柔性不锈钢衬底铜铟镓硒薄膜太阳电池,为不锈钢箔衬底与多层膜组合结构,所述多层膜包括底电极、吸收层、缓冲层、本征ZnO层、掺铝ZnO层和栅电极并依次叠加构成,其制备方法:在不锈钢衬底上采用磁控溅射法沉积双层Mo背电极,采用三步共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层,用化学水浴法制备CdS缓冲层,用磁控溅射法制备本征ZnO层和掺铝ZnO层,用热蒸发法制备Ni/Al栅电极。本发明的优点是:该方法制备出具有(220)择优生长结构的铜铟镓硒薄膜,解决了阻挡层与其它接触层结合力差的问题,简化制备工艺;该薄膜太阳电池在AM1.5光照条件下,电池效率超过11.0%,应用到太阳电池领域具有重要的推动作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 不锈钢 衬底 铜铟镓硒 薄膜 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种柔性不锈钢衬底铜铟镓硒薄膜太阳电池,其特征在于:为不锈钢箔衬底与多层膜组合结构,所述多层膜包括底电极、吸收层、缓冲层、本征ZnO层、掺铝ZnO层和栅电极并依次叠加构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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