[发明专利]用于低温磁制冷的稀土-钴-硅材料及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 201110335908.4 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103088246A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 许志一;沈保根;张虎;沈俊;孙继荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C22C28/00 | 分类号： | C22C28/00;C22C1/02;C22F1/02;C22F1/16;C09K5/14 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于磁制冷的稀土-钴-硅材料及其制备方法和用途，该稀土-钴-硅材料为以下通式的化合物：(Ho1-xErx)CoSi，其中x的范围为0≤x≤1。本发明的稀土-钴-硅材料，特别是ErCoSi和HoCoSi的相变温度分别为5.5K和15K，而磁熵变在各自相变温度附近均高于25J/(kg K)(磁场变化为0-5T)，0-2T时的最大磁熵变超过17J/(kg K)，并具有较大磁制冷能力和良好的热、磁可逆性，是非常理想的低温区磁制冷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 低温 制冷 稀土 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种用于磁制冷的稀土‑钴‑硅材料，其特征在于，该材料为具有以下通式的化合物：(Ho1‑xErx)CoSi，其中x的范围为0≤x≤1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110335908.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种提高微电铸铸层厚度均匀性的超声辅助电铸方法
- 下一篇：换盆专用铲
