[发明专利]用于低温磁制冷的稀土-钴-硅材料及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种用于磁制冷的稀土-钴-硅材料，其特征在于，该材料为具有以下通式的化合物：(Ho_1-xEr_x)CoSi，其中x的范围为0≤x≤1。

2.如权利要求1所述的用于磁制冷的稀土-钴-硅材料，其特征在于，所述材料具有正交TiNiSi型晶体结构。

3.一种如权利要求1所述的用于制备稀土-钴-硅磁制冷材料的制备方法，

其特征在于，其包括以下步骤：

1)称取原料Ho或(和)Er、Co和Si并混合；

2)将配置好的原料放入电弧炉或感应加热炉中，抽真空，用氩气清洗，之后在氩气保护下熔炼；

3)将熔炼好的物料真空退火处理，之后取出快速冷却。

4.如权利要求3所述的的制备方法，其特征在于，所述原料Ho或(和)Er、Co和Si的物质的量之比为化学式(Ho_1-xEr_x)CoSi中的原子比，其中x的范围为0≤x≤1。

5.如权利要求4所述的的制备方法，其特征在于，所述Ho或(和)Er按1～5％的原子比过量添加，更优选地，Ho或(和)Er按2％的原子比过量添加。

6.如权利要求3所述的的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，所述抽真空达到的压力为3×10^-3Pa或小于3×10^-3Pa，优选为2×10^-3～3×10^-3Pa；所述熔炼的温度为1200℃以上，优选为1200～1500℃；所述熔炼的时间为0.5～10分钟，优选为2～3分钟。

7.如权利要求3所述的的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，所述真空退火的温度为700～900℃；所述真空退火的时间为1小时～30天，优选为7～10天。

8.如权利要求3所述的的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，所述冷却的方法为淬入液氮或水中。

9.一种权利要求1～4任一项所述的稀土-钴-硅材料的用途，其特征在于，所述稀土-钴-硅材料用作制冷材料。