[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，通过在半导体衬底上形成阻挡层和至少一个牺牲结构并覆盖牺牲罩层；刻蚀形成牺牲侧墙并去除所述牺牲结构；形成介质层和金属互连线后去除所述牺牲侧墙，从而在介质层中形成气腔间隙。所述牺牲结构的宽度可以控制在小范围内，则形成的气腔间隙之间的距离尺寸缩小到小范围内，同时可以提高体积中气腔间隙的数量，从而达到半导体器件尺寸不断缩小的要求，进一步减小介电常数，提高半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成阻挡层和至少一个牺牲结构；在所述阻挡层和牺牲结构上覆盖牺牲罩层；刻蚀所述牺牲罩层，保留位于所述牺牲结构侧壁的牺牲罩层，形成牺牲侧墙；去除所述牺牲结构；沉积介质层和硬掩膜层；形成多个布线沟槽，所述布线沟槽穿通所述硬掩膜层、介质层以及阻挡层，并与所述牺牲侧墙位置错开；在所述布线沟槽中填充金属互连线；进行化学机械研磨工艺，直至暴露所述介质层和牺牲侧墙；去除所述牺牲侧墙。