[发明专利]使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器有效
| 申请号： | 201110321815.6 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102510004A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | A·A·贝法;A·T·舒瑞莫;C·B·斯塔加瑞舒;万纳特亚 | 申请（专利权）人： | 宾奥普迪克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/028 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器。一种用于制造能够发射蓝光的激光器的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导以及镜。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 蚀刻 技术 生产 基于 algainn 激光器 | ||
【主权项】：
一种基于氮化物的光子学器件，包括：衬底；所述衬底上的外延的基于AlGaInN的结构，所述结构包括活性区；第一干法蚀刻的刻面；沿着所述外延的基于AlGaInN的结构的顶部表面在所述活性区上形成的干法蚀刻脊波导，用于提供横向波引导；以及其中所述第一干法蚀刻的刻面是在所述外延的基于AlGaInN的结构的第一端以及单个平面中相对于所述衬底成90度或约90度的所述脊波导上形成并在其上延伸的。
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