[发明专利]使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器

权利要求书

1.一种基于氮化物的光子学器件，包括：

衬底；

所述衬底上的外延的基于AlGaInN的结构，所述结构包括活性区；

第一干法蚀刻的刻面；

沿着所述外延的基于AlGaInN的结构的顶部表面在所述活性区上形成的干法蚀刻脊波导，用于提供横向波引导；以及

其中所述第一干法蚀刻的刻面是在所述外延的基于AlGaInN的结构的第一端以及单个平面中相对于所述衬底成90度或约90度的所述脊波导上形成并在其上延伸的。

2.如权利要求1所述的光子学器件，其特征在于，还包括第二干法蚀刻的刻面。

3.如权利要求2所述的光子学器件，其特征在于，所述第二干法蚀刻的刻面相对于所述衬底成90度或约90度。

4.如权利要求2所述的光子学器件，其特征在于，所述第二干法蚀刻的刻面相对于所述衬底成45度或约45度。

5.如权利要求2所述的光子学器件，其特征在于，所述第一和第二干法蚀刻的刻面之间的所述所述脊波导的长度为100μm或更少。

6.如权利要求1所述的光子学器件，其特征在于，还包括：

在所述脊波导的顶部上形成的p型掺杂保护层；

置于所述脊波导上并覆盖所述p型掺杂保护层的电介质；以及

所述电介质中的开口，其暴露所述p型掺杂保护层，所述开口是通过干法蚀刻和湿法蚀刻以避免损坏所述p型掺杂保护层来形成的。

7.如权利要求6所述的光子学器件，其特征在于，所述电介质完全封装所述蚀刻的刻面。

8.如权利要求6所述的光子学器件，其特征在于，还包括沉积在所述保护层上的接触点。

9.如权利要求6所述的光子学器件，其特征在于，还包括第二干法蚀刻的刻面。

10.如权利要求9所述的光子学器件，其特征在于，所述电介质完全封装所述蚀刻的刻面。

11.如权利要求9所述的光子学器件，其特征在于，所述第二干法蚀刻的刻面相对于所述衬底成90度或约90度。

12.如权利要求9所述的光子学器件，其特征在于，所述第二干法蚀刻的刻面相对于所述衬底成45度或约45度。

13.如权利要求9所述的光子学器件，其特征在于，所述第一和第二干法蚀刻的刻面之间的所述所述脊波导的长度为100μm或更少。

14.一种半导体光子学器件，包括：

衬底；

所述衬底上的外延的基于AlGaInN的结构，所述结构包括活性区并且还包括：

第一干法蚀刻的刻面；

沿着所述外延的基于AlGaInN的结构的顶部表面在所述活性区上形成的干法蚀刻脊波导，用于提供横向波引导；

在所述脊波导的顶部上形成的p型掺杂保护层；

置于所述脊波导上并覆盖所述p型掺杂保护层的电介质；以及

所述电介质中的开口，其暴露所述p型掺杂保护层，所述开口是通过干法蚀刻和湿法蚀刻以避免损坏所述p型掺杂保护层来形成的。

15.如权利要求14所述的光子学器件，其特征在于，所述电介质完全封装所述蚀刻的刻面。

16.如权利要求14所述的光子学器件，其特征在于，还包括沉积在所述保护层上的接触点。

17.如权利要求14所述的光子学器件，其特征在于，还包括第二干法蚀刻的刻面。

18.如权利要求17所述的光子学器件，其特征在于，所述电介质完全封装所述蚀刻的刻面。

19.如权利要求17所述的光子学器件，其特征在于，所述第二干法蚀刻的刻面相对于所述衬底成90度或约90度。

20.如权利要求17所述的光子学器件，其特征在于，所述第二干法蚀刻的刻面相对于所述衬底成45度或约45度。

21.如权利要求17所述的光子学器件，其特征在于，所述第一和第二干法蚀刻的刻面之间的所述所述脊波导的长度为100μm或更少。