[发明专利]形成沟槽隔离物的方法、半导体组件的制造方法无效
| 申请号： | 201110320261.8 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102760682A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 施信益;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种形成沟槽隔离物的方法，包括提供基底，包括沟槽；在沟槽中形成多晶硅层；及对基底进行处理制程，使多晶硅层转换成隔离层，且调整处理制程使沟槽相对侧壁的隔离层扩大至彼此接触，使隔离层填满沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 沟槽 隔离 方法 半导体 组件 制造 | ||
【主权项】：
一种形成沟槽隔离物的方法，包括：提供基底，所述基底包括沟槽；在所述沟槽中形成多晶硅层；及对所述基底进行处理制程，使所述多晶硅层转换成隔离层，且调整所述处理制程使所述沟槽相对侧壁的隔离层扩大至彼此接触，使所述隔离层填满所述沟槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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