[发明专利]多层镀膜工艺

摘要

多层镀膜工艺，包括以下步骤：对硅片表面进行氧化；待氧化层达到5~10nm后，对镀膜炉管进行抽真空，然后使用流量为3.0~8.0slm的NH3在高频辉光条件下形成等离子体对硅片表面进行预处理，依次沉积至少两层氮化硅薄膜。本发明通过在硅片表面增加氧代层，消除硅片表面大量的表面态，同时沉积多层氮化硅薄膜，大大提高了硅电池表面的钝化效果，降低硅电池表面的反射率，提高了硅电池的转换率。

主权项

多层镀膜工艺，其特征在于：包括以下步骤：a)         送料，将硅片放置于扩散炉内；b)        对硅片加温至780~800℃，同时充入由氧气和氮气组成的混合气，对硅片表面进行氧化；c)         待氧化层达到5~10nm后，停止充气，制成一次半成品；d)        从扩散炉中取出一次半成品，并对一次半成品进行冷却；e)         将冷却后的一次半成品放置于石墨舟内，石墨舟输运到镀膜炉管内并使石墨舟电极孔与镀膜炉管内电极杆相接；f)         对镀膜炉管进行抽真空，抽真空的过程中给炉管持续升温；g)        使用流量为3.0~8.0slm的NH3在高频辉光条件下形成等离子体对硅片表面进行预处理，预处理时间为10~15 min，同时对镀膜炉管内部进行加温；h)        向炉管内充N2，直到管内压力达到500~700mbar，使镀膜炉管内温度稳定450℃；i)          依次在一次半成品沉积至少两层氮化硅薄膜；j)          将镀膜炉管内的气体抽出，并用N2对炉管进行吹洗；k)        镀膜炉管内充入N2使管内压力达到大气后打开炉门，将石墨舟取出。