[发明专利]一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法

摘要

本发明提供了一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法，所述Bi2Se3纳米结构包括纳米带和纳米片，Bi2Se3纳米带的宽度为50nm～4μm，长度为1～200μm，Bi2Se3纳米片的直径为50nm～20μm。本发明采用高温热蒸发和气相传输的方法，以Bi粉和Se粉或Bi2Se3粉末为原料，在高温扩散炉中进行热蒸发，在衬底上获得Bi2Se3纳米结构。本发明的获得Bi2Se3纳米结构为高质量的单晶材料，合成过程不使用催化剂，避免了引入外来杂质对材料性质的影响，简单易行，重复性好，原料和衬底易得，制备成本低廉。

主权项

一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法，其特征在于，所述方法以Bi粉和Se粉混合物为原料或以Bi2Se3粉为原料，优选地，所述原料的纯度均为99.99％(重量比)，不使用催化剂，以惰性气体或氮气为气源进行气相传输，通过高温热蒸发在衬底上制备得到Bi2Se3纳米结构。