[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法

摘要

本发明提供至少一种能够精确地实现理论设计的能带结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法。这种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法通过控制铜、铟、镓和硒四种单质分别在不同的温度下分阶段蒸发，控制镓和铟的蒸发温度在一定时间内均匀改变，从而主动控制镓和铟的蒸发量使得所述光吸收层两侧镓含量略高中间镓含量略低。由于精确控制元素蒸发速率随时间变化，可以精确地控制CIGS的能带结构，能够精确地实现理论设计的能带结构。

主权项

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法，其特征在于，将铜、铟、镓和硒四种单质分别蒸发沉积到衬底上，控制镓蒸发温度在900℃～1100℃内并且在蒸发过程中先均匀降温35℃～45℃再均匀升温35℃～45℃；控制铟的蒸发温度在800℃～1000℃内并且在蒸发过程中先均匀升温45℃～55℃再均匀降温45℃～55℃，从而主动控制镓和铟的蒸发量使得所述光吸收层在厚度方向上两侧的镓含量高于中间的镓含量。