[发明专利]一种磁声表面波磁场传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110306384.6 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102435959A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 白飞明;代丽红;文丹丹;钟智勇;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种磁声表面波磁场传感器及其制备方法，属于电子功能材料与器件技术领域。该传感器包括压电薄膜、磁致伸缩薄膜、衬底基片；磁致伸缩薄膜位于压电薄膜和衬底基片之间；磁致伸缩薄膜的厚度为所述压电薄膜厚度的2～5倍；压电薄膜表面具有叉指换能器，叉指换能器与压电薄膜一起构成声表面波器件。压电薄膜以及叉指换能器表面覆盖有一层SiO2。当传感器处于谐振状态时，如果存在外加磁场变化，磁致伸缩层的杨氏模量就会发生变化，进而影响到压电层中声表面波的传播速度，此时通过检测谐振中心频率的变化就可知外加磁场的变化。SiO2覆盖层可以补偿压电薄膜的频率温度系数，实现接近零频率温度系数。本发明具有微型化、易集成、灵敏度高、一致性号、稳定可靠的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面波 磁场 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁声表面波磁场传感器，包括压电薄膜(1)、磁致伸缩薄膜(3)、衬底基片(9)；所述磁致伸缩薄膜(3)位于压电薄膜(1)和衬底基片(9)之间；其特征在于，所述磁致伸缩薄膜(3)的厚度为所述压电薄膜(1)厚度的2～5倍；所述压电薄膜(1)表面具有叉指换能器(14)，叉指换能器(14)与压电薄膜(1)一起构成声表面波器件；所述叉指换能器(14)包括输入电极(2)、输出电极(4)、位于输入电极(2)外侧的输入端反射栅(7)和位于输出电极(4)外侧的输出端反射栅(8)。
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