[发明专利]直流离子阱有效
| 申请号： | 201110304940.6 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102412110A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 杭纬 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42;H01J49/02 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 直流离子阱，涉及气态离子存储装置。设有前电极、外筒、后电极和中心电极；前电极、后电极和中心电极之间使用绝缘件连接；由前电极、外筒和后电极构成离子阱存储腔体的外壁，在前电极、外筒和后电极上分别施加正电压，在中心电极上施加负电压，使离子阱内形成凹形的电势场。无需使用射频电源，整体结构简单；离子存储量将由各电极的电位差和阱的尺寸大小来共同决定；通过加入合适的背景气体就能实现碰撞冷却或是动态反应装置，功能被大大加强；理论上适用于所有质量范围的离子的存储；具备了能量过滤功能；通过电极电位的控制能引导离子引出的流向。 | ||
| 搜索关键词： | 直流 离子 | ||
【主权项】：
直流离子阱，其特征在于设有前电极、外筒、后电极和中心电极；前电极、后电极和中心电极之间使用绝缘件连接；由前电极、外筒和后电极构成离子阱存储腔体的外壁，在前电极、外筒和后电极上分别施加正电压，在中心电极上施加负电压，使离子阱内形成凹形的电势场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110304940.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热管密封结构
- 下一篇：用于艾萨炉低温烟气的防腐蚀换热器
