[发明专利]直流离子阱

权利要求书

1.直流离子阱，其特征在于设有前电极、外筒、后电极和中心电极；前电极、后电极和中心电极之间使用绝缘件连接；由前电极、外筒和后电极构成离子阱存储腔体的外壁，在前电极、外筒和后电极上分别施加正电压，在中心电极上施加负电压，使离子阱内形成凹形的电势场。

2.如权利要求1所述的直流离子阱，其特征在于所述前电极为带中心小孔的金属，带中心小孔的半导体平板，带中心小孔的弯曲板，导体栅网，或半导体栅网；所述后电极为带中心小孔的金属，带中心小孔的半导体平板，带中心小孔的弯曲板，导体栅网，或半导体栅网。

3.如权利要求2所述的直流离子阱，其特征在于所述中心小孔的直径为0.1～10mm。

4.如权利要求1所述的直流离子阱，其特征在于所述外筒选自圆形套筒、椭圆形套筒、螺线形套筒或方形套筒，所述外筒选自金属板外筒，半导体板外筒，导体栅网外筒，或半导体栅网外筒。

5.如权利要求1所述的直流离子阱，其特征在于所述外筒选自纵向带孔或带缝的外筒。

6.如权利要求1所述的直流离子阱，其特征在于所述中心电极采用金属丝电极或半导体丝电极，所述丝的直径为0.1～1000μm。

7.如权利要求1或6所述的直流离子阱，其特征在于所述中心电极采用各种形状，最好为线状、点状、圆形或螺母形。

8.如权利要求1或6所述的直流离子阱，其特征在于所述中心电极是一个电极或多个电极，在正离子存储模式时，中心电极的电位小于周围电极的电位。

9.如权利要求1所述的直流离子阱，其特征在于所述中心电极设在离子阱存储腔体内的任意位置；所述离子阱存储腔体内的压力为0.1～10^-7torr。

10.如权利要求1所述的直流离子阱，其特征在于所述离子阱存储腔体采用惰性气体作为辅气，形成碰撞冷却池装置；或采用氢气、氨气或甲烷反应性气体作为辅气，形成动态反应池装置。