[发明专利]存储装置的制造方法、存储器件以及存储装置

摘要

本发明涉及存储装置、其制造方法和该存储器装置所包括的多个存储器件，每个存储器件包括存储层，存储层的电阻值由于下部电极和上部电极之间的电压施加而可逆地变化。所述制造方法包括：形成下部电极材料膜，并将下部电极材料膜成形为在第一方向上延伸的第一线状图案；在下部电极材料膜上依次形成存储层材料膜和上部电极材料膜；通过使上部电极材料膜和存储层材料膜成形为在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二线状图案，来形成上部电极和存储层；以及将下部电极材料膜成形为第二线状图案，以在第一线状图案与第二线状图案的交叉区域处形成平面形状为四边形的下部电极。根据本发明，能够改善存储器件的元件特性的一致性。

主权项

一种存储装置的制造方法，在所述存储装置中形成有多个存储器件，每个所述存储器件具有存储层，所述存储层的电阻值由于下部电极与上部电极之间的电压施加而可逆地变化，所述制造方法包括以下步骤：在第一步骤中，形成下部电极材料膜，并将所述下部电极材料膜成形为在第一方向上延伸的第一线状图案；在第二步骤中，在所述第一步骤之后，在所述下部电极材料膜上依次形成存储层材料膜和上部电极材料膜；在第三步骤中，通过将所述上部电极材料膜和所述存储层材料膜成形为在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二线状图案，来形成所述上部电极和所述存储层；以及在第四步骤中，在所述第三步骤之后，通过将所述下部电极材料膜成形为所述第二线状图案，在所述第一线状图案与所述第二线状图案的交叉区域处形成平面形状为四边形的所述下部电极。