[发明专利]一种在（100）型SOI硅片表面自上而下制备纳米结构的方法无效
| 申请号： | 201110298598.3 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102398889A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 金钦华;俞骁;李铁;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在(100)型SOI硅片表面自上而下制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性腐蚀特性在(100)SOI硅片表面设计最小线宽在1μm以上的两个或多个经腐蚀后可在腐蚀槽中间形成特征尺寸从几纳米至几百纳米的单晶硅纳米结构的并列的腐蚀窗口。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、氧化、腐蚀工艺，图形最小线宽可满足普通光刻掩模板制作需求，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米线结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 100 soi 硅片 表面 自上而下 制备 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种在(100)型SOI硅片表面自上而下制备纳米结构的方法，其特征在于在(100)型SOI硅片表面制作最小线宽在0.5μm以上普通掩模板制作两个或多个任意形状的腐蚀窗口，经过单晶硅各向异性湿法腐蚀后，在原腐蚀窗口位置上形成两个或多个并列的矩形腐蚀槽结构，矩形腐蚀槽槽口的上表面为原腐蚀窗口的外接矩形，相邻槽之间位置形成一段特征尺寸的单晶硅纳米结构。
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