[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110295406.3 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103022347A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 徐佳;吴关平;张超;刘燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件包括：嵌于绝缘材料中的第一相变材料岛；以及与所述第一相变材料岛横向地接触的第一电极。根据本发明的半导体器件的制造方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成电极层；对所述电极层进行图案化；形成第二绝缘层，以至少覆盖图案化的电极层和所述第一绝缘层；形成穿过所述第二绝缘层和所述电极层的开口；以及在所述开口中形成相变材料岛，其中图案化的电极层与所述相变材料岛横向地接触，从而至少定义与所述相变材料岛横向地接触的第一电极。该半导体器件还包括与所述第一相变材料岛接触的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：嵌于绝缘材料中的第一相变材料岛；以及与所述第一相变材料岛横向地接触的第一电极。
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