[发明专利]包括熔体拉伸膜作为电介质的膜电容器有效
| 申请号： | 201110286408.6 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102723196A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 俞维清;俞杰圣 | 申请（专利权）人： | 俞维清;俞杰圣 |
| 主分类号： | H01G4/14 | 分类号： | H01G4/14;H01G4/33 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国佐*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及包括熔体拉伸膜作为电介质的膜电容器，其包括(1)导电电极和(2)半结晶聚合物电介质膜，所述半结晶聚合物电介质膜的厚度为1微米-80微米，所述半结晶聚合物电介质膜经由熔体拉伸挤出方法、通过模头(环模头或平模头)、在高于所述半结晶聚合物熔点的模头温度下、使用30或更高的拉缩比(模头间隙与膜厚之比)制造。通过这样的熔体拉伸挤出方法制造的半结晶聚合物电介质膜在高温下显示出显著低的收缩率直到其熔融。包括这样的低收缩率膜电介质的电容器与包括由相同塑性材料制造的常规双轴取向膜电介质相比可在高得多的温度下使用。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 拉伸 作为 电介质 电容器 | ||
【主权项】：
电容器用半结晶聚合物电介质膜，其厚度为1微米‑80微米，其经由挤出熔体拉伸方法、通过模头(环模头或平模头)、在高于所述半结晶聚合物熔点的模头温度下、使用30或更高的拉缩比(模头间隙与膜厚之比)制造。
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