[发明专利]包括熔体拉伸膜作为电介质的膜电容器

权利要求书

1.电容器用半结晶聚合物电介质膜，其厚度为1微米-80微米，其经由挤出熔体拉伸方法、通过模头(环模头或平模头)、在高于所述半结晶聚合物熔点的模头温度下、使用30或更高的拉缩比(模头间隙与膜厚之比)制造。

2.根据权利要求1的电容器用半结晶聚合物电介质膜，其由选自如下的半结晶聚合物制造：高密度聚乙烯、聚丙烯、聚丁烷、聚丁烯、聚戊烯、PVDF、PET、PEN、尼龙、它们的共聚物、或它们的熔融共混物。

3.根据权利要求2的电容器用半结晶聚合物电介质膜，其是单层形式或多层复合材料形式。

4.根据权利要求3的电容器用半结晶聚合物电介质膜，其由聚丙烯制造，其在130℃下在纵向上和在横向上具有小于1.5％的收缩率。

5.根据权利要求4的电容器用半结晶聚合物电介质膜，其由聚丙烯制造，其在140℃下在纵向上和在横向上具有小于1.5％的收缩率。

6.根据权利要求5的电容器用半结晶聚合物电介质膜，其由聚丙烯制造，其在150℃下在纵向上和在横向上具有小于1.5％的收缩率。

7.根据权利要求6的电容器用半结晶聚合物电介质膜，其由聚丙烯制造，其在155℃下在纵向上和在横向上具有小于1.5％的收缩率。

8.根据权利要求7的电容器用半结晶聚合物电介质膜，其由聚丙烯制造，其在160℃下在纵向上和在横向上具有小于1.5％的收缩率。

9.膜电容器，包括(1)导电电极和(2)半结晶聚合物电介质膜，所述电介质膜的厚度为1微米-80微米，所述电介质膜经由挤出熔体拉伸方法、通过模头(环模头或平模头)、在高于所述半结晶聚合物熔点的模头温度下、使用30或更高的拉缩比(模头间隙与膜厚之比)制造。

10.根据权利要求9的膜电容器，其具有单层形式或多层复合材料形式的选自如下的半结晶聚合物电介质膜：高密度聚乙烯、聚丙烯、聚丁烷、聚丁烯、聚戊烯、PVDF、PET、PEN、尼龙、它们的共聚物、它们的熔融共混物。

11.根据权利要求10的膜电容器，其具有选自金属箔电极和金属化电极的导电电极。

12.根据权利要求11的膜电容器，其包括聚丙烯膜作为电介质。

13.根据权利要求12的膜电容器，其具有通过熔体拉伸吹塑膜挤出方法使用环模头制造的聚丙烯电介质膜。

14.根据权利要求13的膜电容器，其具有在130℃下在纵向上和在横向上具有小于1.5％的收缩率的聚丙烯电介质膜。

15.根据权利要求14的膜电容器，其具有在140℃下在纵向上和在横向上具有小于1.5％的收缩率的聚丙烯电介质膜。

16.根据权利要求15的膜电容器，其具有在150℃下在纵向上和在横向上具有小于1.5％的收缩率的聚丙烯电介质膜。

17.根据权利要求16的膜电容器，其具有在155℃下在纵向上和在横向上具有小于1.5％的收缩率的聚丙烯电介质膜。

18.根据权利要求17的膜电容器，其具有在160℃下在纵向上和横向上具有小于1.5％的收缩率的聚丙烯电介质膜。