[发明专利]一种用于纳米集成电路的铜扩散阻挡层的制备方法无效
| 申请号： | 201110285348.6 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102332426A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;陈琳;杨雯;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种铜的扩散阻挡层的制备方法。本发明选用合适的反应前躯体，采用原子层沉积技术在TaN层上生长Co或者Ru，可以得到用于32nm或以下工艺节点中的互连中的扩散阻挡层，克服PVD淀积Ta/TaN双层结构作为铜的扩散阻挡层在台阶覆盖和保形性上的不足，有效解决Cu/low-k双镶嵌工艺中所面临的沟槽和通孔中空洞的产生以及电迁移稳定性的严重问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 纳米 集成电路 扩散 阻挡 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜扩散阻挡层的制备方法，其特征在于具体步骤包括：在第一层金属互连层上形成互连通孔；形成第一层金属薄膜；采用原子层淀积技术形成第二层金属薄膜；形成铜互连结构；其中，所述的第二层金属薄膜的原子层淀积过程为：①.将基片放入原子层淀积反应腔中，并加热反应腔至工艺温度；②.通入第二层金属的金属有机物前驱体；③.通入惰性气体带走残余的金属有机物前驱体；④.通入氧化剂蒸汽；⑤.再次通入惰性气体带走残余的氧化剂蒸汽；⑥.重复进行步骤②‑步骤⑤，直至达到所需求的薄膜厚度；⑦.通入还原性气体得到所需求的金属薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
