[发明专利]一种绝热多米诺电路及绝热多米诺三值与门电路有效
申请号: | 201110284557.9 | 申请日: | 2011-09-23 |
公开(公告)号: | CN102386908A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 汪鹏君;杨乾坤 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | H03K19/017 | 分类号: | H03K19/017;H03K19/20 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程晓明 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种绝热多米诺电路,包括第一PMOS管、第一NMOS管、延时电路和设置于第一PMOS管的源极和第一NMOS管的漏极之间的逻辑电路,第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极并接于钟控时钟信号输入端,第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的源极并接于延时电路输出端,延时电路输入端与功率时钟信号输入端连接,延时后的功率时钟与中控时钟组成二相交叠时钟,另外还公开了一种结合绝热多米诺电路与NDL逻辑的绝热多米诺三值与门电路,优点是钟控时钟和延时后的功率时钟组成二相交叠时钟,保证了电路的能量回收的效果,提高了电路的可靠性,同时由于采用NDL逻辑,其晶体管数量少,开关活动性低,保证了电路具有低功耗,高速度和高信息密度。 | ||
搜索关键词: | 一种 绝热 多米诺 电路 多米诺三值 与门 | ||
【主权项】:
一种绝热多米诺电路,包括第一PMOS管、第一NMOS管、延时电路和设置于所述的第一PMOS管的源极和所述的第一NMOS管的漏极之间的N逻辑电路,所述的第一PMOS管的源极连接信号输出端,其特征在于所述的第一PMOS管的栅极和所述的第一NMOS管的栅极并接于钟控时钟信号输入端,所述的第一PMOS管的漏极和所述的第一NMOS管的源极并接于所述的延时电路的输出端,所述的延时电路的输入端与功率时钟信号输入端连接。
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