[发明专利]静电放电保护电路和静电放电保护方法有效
| 申请号： | 201110281322.4 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103022996A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 朱恺;程惠娟;陈捷;郭之光;李宏伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈新 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及静电放电(ESD)保护电路和ESD保护方法。ESD保护电路包括由依次串联在地电位和电源电位之间的第一和第二NMOS晶体管构成的静电放电通道；ESD事件检测单元；连接在ESD事件检测单元的输出端和第一晶体管的栅极之间的第一驱动单元；和连接在ESD事件检测单元的输出端和第二晶体管的栅极之间的第二驱动单元。第一和第二驱动单元在ESD事件期间分别使第一和第二晶体管导通，而在未发生ESD事件的期间分别使第一和第二晶体管关断。根据本发明的ESD保护电路可以采用安全工作电压较小的两个串联的晶体管来代替安全工作电压较大的单个晶体管作为静电放电通道，由于安全工作电压较小的晶体管具有更好的电流性能，从而能够大大节约芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种静电放电(ESD)保护电路，包括：静电放电单元，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管串联连接在第一电位和第二电位之间以形成静电放电通道，其中，第一电位低于第二电位，第一晶体管和第二晶体管均为NMOS晶体管，第一晶体管的源极连接到第一电位，第二晶体管的漏极连接到第二电位；ESD事件检测单元；第一驱动单元，连接在ESD事件检测单元的输出端和第一晶体管的栅极之间，在ESD事件期间，第一驱动单元使第一晶体管导通，而在未发生ESD事件的期间，第一驱动单元使第一晶体管关断；第二驱动单元，连接在ESD事件检测单元的输出端和第二晶体管的栅极之间，在ESD事件期间，第二驱动单元使第二晶体管导通，而在未发生ESD事件的期间，第二驱动单元使第二晶体管关断。
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