[发明专利]鳍式场效应管的结构及形成方法有效
| 申请号： | 201110276568.2 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103000688A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种鳍式场效应管的形成方法，包括：依次在基底表面形成硅薄膜、硬掩膜层、具有第一开口的图案层和覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述硬掩膜层和硅薄膜，形成第二开口，所述第二开口暴露出所述基底表面；在所述第二开口内形成牺牲层，所述牺牲层的表面至少与所述硅薄膜的表面齐平；去除所述图案层，形成与所述侧墙相对应的两个第一子鳍部；去除所述硬掩膜层，形成与所述第一子鳍部齐平的绝缘层；形成位于所述第一子鳍部顶部、且连接两个所述第一子鳍部的第二子鳍部；去除所述绝缘层和牺牲层，形成位于所述基底、第二子鳍部和两个第一子鳍部之间的空腔。本发明实施例的鳍式场效应管的器件性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底表面鳍部，所述鳍部包括两个位于所述基底表面、且相互分立的第一子鳍部，及位于所述第一子鳍部顶部、且连接两个所述第一子鳍部的第二子鳍部，所述基底、第二子鳍部和两个第一子鳍部之间存在空腔。
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