[发明专利]横向绝缘栅双极晶体管

摘要

一种N沟道横向绝缘栅双极晶体管，包括半导体衬底(1、30、40)、漂移层(2)、集电极区域(4)、沟道层(6)、发射极区域(7)、栅极绝缘膜(10)、栅电极(11)、集电极电极(12)、发射极电极(13)。集电极区域(4)包括具有高杂质浓度的高杂质浓度区域(4a)和杂质浓度比高杂质浓度区域(4a)低的低杂质浓度区域(4b)。集电极电极(12)与高杂质浓度区域(4a)欧姆接触并且与低杂质浓度区域(4b)肖特基接触。

主权项

一种N沟道横向绝缘栅双极晶体管，包括：半导体衬底(1、30、40)；漂移层(2)，该漂移层(2)具有N导电类型并且设置在所述半导体衬底(1、30、40)上；集电极区域(4)，该集电极区域(4)为P导电类型并且设置在所述漂移层(2)的第一表面部分中；沟道层(6)，该沟道层(6)为P导电类型并且设置在所述漂移层(2)的远离所述集电极区域(4)的第二表面部分中；发射极区域(7)，该发射极区域(7)为N导电类型并且具有比所述漂移层(2)高的杂质浓度，并且该发射极区域(7)设置在所述沟道层(6)的第一表面部分中且具有在所述沟道层(6)的终止部分内部终止的端部；栅极绝缘膜(10)，该栅极绝缘膜(10)设置在沟道区域上，所述沟道区域由所述沟道层(6)的位于所述发射极区域(7)和所述漂移层(2)之间的第二表面部分提供；栅电极(11)，该栅电极(11)设置在所述栅极绝缘膜(10)上；集电极电极(12)，该集电极电极(12)与所述集电极区域(4)电耦合；以及发射极电极(13)，该发射极电极(13)与所述发射极区域(7)和所述沟道层(6)电耦合，其中所述集电极区域(4)包括具有高杂质浓度的高杂质浓度区域(4a)和杂质浓度比所述高杂质浓度区域(4a)低的低杂质浓度区域(4b)，并且其中所述集电极电极(12)与所述高杂质浓度区域(4a)欧姆接触并且与所述低杂质浓度区域(4b)肖特基接触。