[发明专利]低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器

摘要

本发明涉及一种低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器，这种激光器的P面电极放置在盖层的顶面上，并且电连接到盖层，N面电极位于衬底的背面，并且电连接到衬底；中心腔位于下波导层与上波导层之间，有源区插入在中心腔内；所述下波导层采用多层N型掺杂的高、低折射率材料周期分布的布拉格反射波导；上波导层采用多层P型掺杂的高、低折射率材料周期分布的布拉格反射波导。本发明可有效改善传统边发射半导体激光器端面灾变性毁坏、烧孔、电热烧毁和光束成丝等效应，并且基模与高阶模之间大的增益损耗差异使得这种激光器可实现大模式体积、稳定单横模工作，其横向远场发散角半高全宽(FWHM)可达到10°以下。

主权项

一种低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器，由下至上依次为N面电极(10)、衬底(1)、缓冲层(2)、下限制层(3)、下波导层(4)、中心腔(5)、上波导层(6)、上限制层(7)、P盖层(8)和P面电极(9)；P面电极(9)放置在盖层(8)的顶面上，并且电连接到盖层(8)，N面电极(10)位于衬底(1)的背面，并且电连接到衬底(1)；中心腔(5)位于下波导层(4)与上波导层(6)之间，有源区(5a)插入在中心腔(5)内；其特征在于所述下波导层(4)采用多层N型掺杂的高、低折射率材料周期分布的布拉格反射波导；上波导层(6)采用多层P型掺杂的高、低折射率材料周期分布的布拉格反射波导。