[发明专利]一种太阳能级多晶硅的制造方法在审
| 申请号： | 201110268630.3 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102432020A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 孔繁敏;孙湘航;司继良;安利明;王新元 | 申请（专利权）人： | 山西纳克太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 卢茂春 |
| 地址： | 030032 山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种太阳能级多晶硅的制造方法，包括以下工艺步骤：将金属硅在高周波电磁诱导精炼炉中熔化为熔融硅；将熔融硅的温度升至1500－1600℃，在升温过程中间隔性地往熔融硅里面添加造渣剂；将硅料置于一次直拉炉装置中进行直拉，初次除去硅料中的金属杂质；将硅料置于连续进料真空熔炼炉中，在低于10－3Pa的真空状态下进行熔炼，除去其中的磷杂质；将硅料倾入二次直拉装置中进行二次直拉，再次除去硅料中的其它金属杂质，得到硅棒；切除硅棒尾部，即可得到6N以上提纯好的太阳能级多晶硅。本发明通过高周波电磁诱导精炼除硼，一次直拉去除部分金属杂质，通过连续真空除磷和二次直拉去除金属杂质来获得低成本的太阳能级多晶硅的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 多晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能级多晶硅的制造方法，其特征是包括以下工艺步骤：（一）将金属硅在高周波电磁诱导精炼炉中熔化为熔融硅；所述金属硅的粒径是5～100mm，金属硅的纯度为99％（2N）以上，其中B含量为5ppm，P含量为15ppm；（二）将步骤（一）所得到的熔融硅的温度升至1500－1600℃，在升温过程中间隔性地往熔融硅里面添加造渣剂，造渣剂的添加量为熔融硅重量的40～100％；进行造渣脱去硅中的硼杂质，间隔时间是20－30分钟；（三）将步骤（二）所得到的硅料置于一次直拉炉装置中进行直拉，初次除去硅料中的金属杂质；（四）将步骤（三）得到的硅料置于连续进料真空熔炼炉中，在低于10－3Pa的真空状态下进行熔炼，除去其中的磷杂质；（五）将步骤（四）得到的硅料倾入二次直拉装置中进行二次直拉，再次除去硅料中的其它金属杂质，得到硅棒；（六）切除硅棒尾部，即可得到6N以上提纯好的太阳能级多晶硅。
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