[发明专利]一种适用于光刻工艺的平坦化方法有效
| 申请号： | 201110264528.6 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102306632A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 朱海峰;姜伟;刘帅洪 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/312;H01L23/00;G03F7/00;G03F7/16 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710054 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于光刻工艺的平坦化方法，采用旋涂法在基片表面涂覆一层介质层，介质层覆盖基片表面约20μm高的台阶并使基片表面形成一个平坦的表面，然后将基片经烘干后再使用低粘度系数光刻胶进行光刻，通过湿法腐蚀工艺制作出UBM层，最后在去胶过程中同时去除介质层。通过该方法制作出了线条/间距150μm/100μm并且带有高度20μm凸点焊盘的UBM层，满足凸点漏印的工艺要求。工艺一致性好，工艺流程简单、生产效率高、适于大批量生产，产品满足可靠性要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 光刻 工艺 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种适用于光刻工艺的平坦化方法，其特征在于：采用旋涂法在基片表面涂覆一层介质层，介质层覆盖基片表面约20μm高的台阶并使基片表面形成一个平坦的表面，然后将基片经烘干后再使用低粘度系数光刻胶进行光刻，通过湿法腐蚀工艺制作出UBM层，最后在去胶过程中同时去除介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
