[发明专利]声表面波器件、电子设备及传感器装置

摘要

本发明提供一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置。在具有于工作温度范围内具有极大值和极小值、和两者之间的拐点的、曲线的频率温度特性的SAW器件中，抑制由于制造误差而可能在个体之间产生的频率温度特性的偏差及劣化。SAW器件(1)在欧拉角(-1.5°≤Φ≤1.5°，117°≤θ≤142°，|ψ|≠90°×n(但是，n＝0，1，2，3))的水晶基板(2)的主面上，具有：IDT(3)，其激振阻带上限模式的瑞利波(波长：λ)；电极指间槽(8)，其凹设在IDT的电极指之间，其中，通过使电极指间槽的深度G为0.01λ≤G≤0.07λ，并使电极指膜厚H和IDT线占有率η满足预定的关系，从而频率温度特性常时在工作温度范围内，于极大值和极小值之间具有拐点，并且抑制由于IDT线占有率η的制造误差而导致的拐点温度的变动。

主权项

一种声表面波器件，其特征在于，具有：压电基板，其欧拉角为：(‑1.5°≤Φ≤1.5°，117°≤θ≤142°，|ψ|≠90°×n(但是，n＝0，1，2，3))；叉指换能器，其由被设置于所述压电基板的主面上的多个电极指构成，且激振阻带上限模式的瑞利波；电极指间槽，其凹设在所述叉指换能器的相邻的所述电极指间的、所述压电基板的表面上，所述瑞利波的波长λ与所述电极指间槽的深度G满足0.01λ≤G≤0.07λ的关系，所述叉指换能器的线占有率η与所述电极指间槽的深度G满足下述式9以及式10的关系，即，式9‑2.0000×G/λ+0.7200≤η≤‑2.5000×G/λ+0.7775，但是，0.0100λ≤G≤0.0500λ；式10‑3.5898×G/λ+0.7995≤η≤‑2.5000×G/λ+0.7775，但是，0.0500λ＜G≤0.0695λ；所述电极指的膜厚H和所述叉指换能器的线占有率η满足(1)0.010λ≤H≤0.015λ、且0.575≤η≤0.741(2)0.015λ≤H≤0.020λ、且0.605≤η≤0.744(3)0.020λ≤H≤0.025λ、且0.605≤η≤0.745(4)0.025λ≤H≤0.030λ、且0.575≤η≤0.745中的任意一个。