[发明专利]存储元件和存储装置

摘要

本发明公开了一种存储元件和存储装置，该存储元件包括：存储层，具有垂直于膜表面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化；磁化固定层，具有垂直于膜表面的磁化；绝缘层，设置在存储层和磁化固定层之间。其中，存储层具有Co-Fe-B层与属于1A族、2A族、3A族、5A族或6A族的任意一族的元素的层叠结构，在层结构的层叠方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向发生变化，并且对存储层进行了信息记录，存储层接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量。

主权项

一种存储元件，包括：存储层，具有垂直于膜表面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化；磁化固定层，具有垂直于所述膜表面并且成为存储在所述存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，设置在所述存储层和所述磁化固定层之间，并且由非磁性材料形成，其中，所述存储层具有Co‑Fe‑B层和属于1A族、2A族、3A族、5A族或6A族的任意一族的元素的层叠结构，并且，对于1nm的Co‑Fe‑B层，所述元素作为0.05nm至0.3nm的薄膜插入，在具有所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层结构的层叠方向上注入自旋极化的电子，从而所述存储层的磁化方向发生变化，并且对所述存储层进行了信息记录，所述存储层接收的有效反磁场的大小小于所述存储层的饱和磁化量。