[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 201110264219.9 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102403031A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 细见政功;别所和宏;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
1.一种存储元件，包括：
存储层，具有垂直于膜表面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化；
磁化固定层，具有垂直于所述膜表面并且成为存储在所述存储层中的信息的基准的磁化；以及
绝缘层，设置在所述存储层和所述磁化固定层之间，并且由非磁性材料形成，
其中，所述存储层具有Co-Fe-B层和属于1A族、2A族、3A族、5A族或6A族的任意一族的元素的层叠结构，并且，对于1nm的Co-Fe-B层，所述元素作为0.05nm至0.3nm的薄膜插入，
在具有所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层结构的层叠方向上注入自旋极化的电子，从而所述存储层的磁化方向发生变化，并且对所述存储层进行了信息记录，
所述存储层接收的有效反磁场的大小小于所述存储层的饱和磁化量。
2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，
Co-Fe-B的组成为(Cox-Fey)100-z-Bz，此处，0≤Cox≤40，60≤Fey≤100并且0＜Bz≤30。
3.一种存储装置，包括：
存储元件，通过磁性材料的磁化状态保持信息；以及
彼此交叉的两种配线，
其中，所述存储元件包括：
存储层，具有垂直于膜表面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化；
磁化固定层，具有垂直于所述膜表面并且成为存储在所述存储层中的信息的基准的磁化；以及
绝缘层，设置在所述存储层和所述磁化固定层之间，并且由非磁性材料形成，
所述存储层具有Co-Fe-B层与属于1A族、2A族、3A族、5A族或6A族的任意一族的元素的层叠结构，并且，对于1nm的Co-Fe-B层，所述元素作为0.05nm至0.3nm的薄膜插入，
在具有所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层结构的层叠方向上注入自旋极化的电子，从而所述存储层的磁化方向发生变化，并且对所述存储层进行了信息记录，
所述存储层接收的有效反磁场的大小小于所述存储层的饱和磁化量，
所述存储元件被设置在所述两种配线之间，并且
电流通过所述两种配线在所述层叠方向上流入所述存储元件，从而自旋极化的电子被注入所述存储元件。
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