[发明专利]一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法有效
| 申请号： | 201110261035.7 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102330142A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李美成;任霄峰;白帆;宋丹丹;姜冰 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12;C25F3/14;C23F1/24;C23F1/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)取向单晶硅片，将清洗后的硅片直接浸入到酸性刻蚀溶液中，经短时间(2-10分钟)刻蚀后在硅表面形成纳米多孔结构，获得了较好减反射效果的陷光结构，在300～1000nm的光谱范围内的反射率降低到5％。本发明采用单步溶液法实现了硅表面的微刻蚀，简化了贵金属辅助化学刻蚀硅的工艺过程，同时保持常温湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 纳米 多孔 反射 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：a.清洗硅片；b.单步溶液法刻蚀：将清洗后的硅片直接浸入酸性刻蚀液中，刻蚀出硅表面纳米多孔减反射结构，所述酸性刻蚀液为AgNO3、HF、H2O2和水组成的混合溶液，其中AgNO3的浓度为10‑4～5×10‑4mol/L，HF的浓度为1～2mol/L，H2O2的浓度为2.5～3mol/L；c.硅片后处理：将硅片用硝酸浸泡，去除残留在硅表面的银，然后用去离子水或超纯水冲洗干净，真空干燥。
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