[发明专利]一种用于非透光切割道中防止光掩模版应力损坏的方法无效
| 申请号： | 201110250282.7 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102436134A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 何伟明;邢精成 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于非透光切割道中防止光掩模版应力损坏的方法。本发明公开了一种用于非透光切割道中防止光掩模版应力损坏的方法，通过设置应力阻挡环，能有效降低光掩模版制造过程中或重修过程中外围图形区域产生的应力对套刻标记的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 透光 切割 防止 模版 应力 损坏 方法 | ||
【主权项】：
一种用于非透光切割道中防止光掩模版应力损坏的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：一光掩膜版上覆盖一薄膜，在该薄膜上设置一器件图形区域，环绕器件图形区域，在薄膜上由内向外顺序依次设置非透光切割道、图像铬保护圈和保护膜框架区域，其中，非透光切割道上至少设置有一套刻标记；步骤S2：在位于图像铬保护圈与器件图形区域之间的薄膜上，环绕每个套刻标记均设置一闭合的阻力缓冲区域；步骤S3：去除阻力缓冲区域中的薄膜至光掩膜版，形成闭合的应力缓冲环。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
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