[发明专利]一种浅沟槽隔离填充的方法无效
| 申请号： | 201110250269.1 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102427051A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 张文广;徐强;陈玉文;郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一种浅沟槽隔离填充的新方法，通过首先形成浅沟槽隔离的介电质，而后再形成有源区，有效克服了现有技术中的浅沟槽隔离介电质填充方法的遇到的填充局限性和挑战，实现了无空洞的介电质填充效果，工艺过程简单，易控制，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离填充的方法，其特征在于，包括以下的步骤：步骤S1：提供一硅衬底并在所述硅衬底上沉积一层二氧化硅薄膜；步骤S2：在所述二氧化硅薄膜上依次沉积一层底部抗反射涂层和一层光刻胶层；步骤S3：进行光刻工艺，在所述光刻胶层中形成多个开口；步骤S4：通过所述开口蚀刻所述二氧化硅薄膜以形成位于二氧化硅薄膜内的多个沟槽；步骤S5：在沟槽内生长硅外延层以形成有源区；其中，相邻的有源区之间的二氧化硅薄膜构成浅沟槽隔离结构，并且所述有源区用于构成金属氧化物半导体场效应晶体管的阱区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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