[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法无效
| 申请号： | 201110248357.8 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102385871A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 武隈育子;中村公夫;佐山淳一;根本广明 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有足以实现1万亿比特/cm2以上的面记录密度的垂直磁各向异性能量和结晶粒径、且批量生产性优良的垂直磁记录介质及其制造方法。该制造方法是在基板上依次形成基板温度控制层、基底层、磁记录层。磁记录层通过将由第一工序和第二工序构成的磁性层层叠工序重复进行N次(N≥2)来形成，其中，所述第一工序是将基板在加热室内进行加热，所述第二工序是将由添加有选自C、Si氧化物中的至少一种非磁性材料且以FePt为主的合金构成的磁记录层在制膜室内进行制膜。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，其具有：在基板上形成基板温度控制层的工序、在所述基板温度控制层上形成基底层的工序、和在所述基底层上形成磁记录层的工序，其中，所述形成磁记录层的工序是将由第一工序和第二工序构成的磁性层层叠工序重复进行N次，其中，N≥2，所述第一工序是将所述基板在加热室内进行加热，所述第二工序是将由添加有选自C、Si氧化物中的至少一种非磁性材料且以FePt为主的合金构成的磁记录层在制膜室内进行制膜。
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