[发明专利]白光LED外延结构及其生产工艺无效
| 申请号： | 201110247623.5 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102270719A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 吉爱华;谢卫国 | 申请（专利权）人： | 环科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 温州新瓯专利事务所 33210 | 代理人： | 黄捷 |
| 地址： | 325013 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种白光LED外延结构及其生产工艺，外延结构包括从下至上依次设置的SiC衬底、N-GaN接触层、GaN外延层、InGaN/GaN发光层、AlInGaP半导体复合物发光层和P+GaN接触层。本发明的LED外延结构由GaN外延层、InGaN/GaN发光层发出蓝光，AlInGaP半导体复合物发光层则可以直接发出黄光，蓝光和黄光合成直接生成白光，无需使用荧光粉，不会光衰，发光质量好，提高了工作稳定性和使用寿命，减少了封装工序。本发明的生产工艺效率高，无需特殊设备，生产质量稳定可靠，工业化大量生产易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 白光 led 外延 结构 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种白光LED外延结构，包括从下至上依次设置的SiC衬底、N GaN接触层、GaN外延层、InGaN/GaN 发光层，其特征为：在InGaN/GaN 发光层（5）之上还依次设有AlInGaP半导体复合物发光层（6）和P+GaN接触层（7）。
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