[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
| 申请号: | 201110244060.4 | 申请日: | 2011-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN102956742A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
| 发明(设计)人: | 陈文华 | 申请(专利权)人: | 茂迪股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 一种太阳能电池的制造方法,包含:步骤A:利用干式蚀刻方式蚀刻一第一导电型基板,使其一入光面成为高低起伏状,且该入光面还形成一个等离子破坏层;步骤B:氧化该等离子破坏层以转变成一个氧化层;步骤C:利用湿式蚀刻方式移除该氧化层;步骤D:热扩散处理以形成一个第二导电型射极层。通过该氧化制程将该等离子破坏层氧化,使本发明在热扩散处理前可以省略已知方法中的KOH蚀刻步骤,并且只需要一次的湿式蚀刻即可移除该氧化层,大幅缩短制程时间、提升产能,可兼顾量产的可行性及太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,包含:步骤A:利用干式蚀刻方式蚀刻一个第一导电型基板,使该第一导电型基板的一个入光面成为高低起伏状,且该入光面还形成一个等离子破坏层;其特征在于,该太阳能电池的制造方法还包含下列步骤:步骤B:氧化该等离子破坏层,使该等离子破坏层转变成一个氧化层;步骤C:利用湿式蚀刻方式移除该氧化层;步骤D:对该第一导电型基板进行热扩散处理,使该第一导电型基板的入光面形成一个第二导电型射极层,以完成制作该太阳能电池的半成品;步骤E:在该太阳能电池的半成品上形成电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





