[发明专利]硫化铟薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110242427.9 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102877042A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 吴宗鑫;王雨筠;盛焙荪 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | C23C18/16 | 分类号： | C23C18/16 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明提供一种硫化铟薄膜的制备方法，包括：提供一含有络合剂、铟离子、以及氢硫根离子的混合溶液；以及将混合溶液与一基板接触，以于基板上形成一硫化铟薄膜；其中络合剂具有下列化学式： |
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| 搜索关键词： | 硫化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硫化铟薄膜的制备方法，包括：提供一含有络合剂、铟离子、以及氢硫根离子的混合溶液；以及将该混合溶液与一基板接触，以于该基板上形成一硫化铟In2S3薄膜；其中该络合剂具有下列化学式：![]()
其中，R1及R2各自独立地为氢或羟基。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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