[发明专利]有机无机复合激光热刻蚀薄膜和微纳图形制备的方法有效
申请号: | 201110238541.4 | 申请日: | 2011-08-19 |
公开(公告)号: | CN102338986A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 李豪;耿永友;吴谊群 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G03F7/09 | 分类号: | G03F7/09;G03F7/00;G03F7/20 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种有机无机复合激光热刻蚀薄膜和微纳图形制备的方法,该有机无机复合激光热刻蚀薄膜包括沉积在基片上的ZnS-SiO2薄膜和旋涂在ZnS-SiO2薄膜上的腙类金属螯合物有机薄膜。所述的微纳图形制备的方法是采用激光直写装置对有机无机复合激光热刻蚀薄膜进行辐照,然后溶解去除有机层,并在显影液中显影,以获得超越光学衍射极限的微纳图形。该有机无机复合激光热刻蚀薄膜结构简单,制备工艺参数可控性好,重复性高,结合有机薄膜光敏感度好、光热转化效率高,结构与吸收波长易于调节和无机薄膜分辨率高的特点,能够实现超越光学衍射极限的微纳图形的制备,有望被用来制备光盘母盘、光刻或纳米压印模板、光学器件、二维光子晶体等。 | ||
搜索关键词: | 有机 无机 复合 激光 刻蚀 薄膜 图形 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种有机无机复合激光热刻蚀薄膜,特征在于其构成包括沉积在基片(3)上的ZnS‑SiO2薄膜(2)和旋涂在ZnS‑SiO2薄膜(2)上的腙类金属螯合物有机薄膜(1);所述的基片(3)为厚度0.1~3mm的Si片或聚碳酸酯片;所述的ZnS‑SiO2薄膜(2)的厚度为50~500nm,该ZnS‑SiO2薄膜(2)的ZnS‑SiO2的成分比为80mol%∶20mol%;所述的腙类金属螯合物有机薄膜(1)为厚度50~150nm,的腙镍螯合物、或腙钴螯合物、或腙铜螯合物、或腙锌螯合物。
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