[发明专利]非对称双向保护组件有效
| 申请号： | 201110238118.4 | 申请日： | 2011-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102376774B | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 本杰明·莫里永 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非对称双向保护组件。在第一导电类型的半导体基材中形成的非对称双向保护组件，包括第一导电类型的第一嵌入区域；在所述基材和所述第一嵌入区域上的第二导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上的第二导电类型的第二外延层，所述第二外延层的掺杂程度不同于所述第一外延层的掺杂程度；在所述外延层的外表面上的与所述第一区域相对的第一导电类型的第二区域；覆盖所述基材的整个下表面的第一包镀金属；以及覆盖所述第二区域的第二包镀金属。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 双向 保护 组件 | ||
【主权项】：
一种在第一导电类型的半导体基材(31)中形成的非对称双向保护组件，所述组件包括：在所述基材的表面上的第一导电类型的第一嵌入区域(32)；在所述基材和所述第一嵌入区域上的第二导电类型的第一外延层(33a)；在所述第一外延层(33a)上的第二导电类型的第二外延层(33b)，所述第二外延层的掺杂程度不同于所述第一外延层的掺杂程度；在所述外延层的外表面上的与所述第一嵌入区域(32)相对的第一导电类型的第二嵌入区域(34)，其中所述第一嵌入区域和所述第二嵌入区域的掺杂剂浓度高于所述第一外延层和所述第二外延层的掺杂剂浓度；覆盖所述基材的整个下表面的第一包镀金属(36)；以及覆盖所述第二嵌入区域的第二包镀金属(35)。
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