[发明专利]一种基于柔性衬底的忆阻器器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201110230879.5 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102931345A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于柔性衬底的忆阻器器件及其制作方法。所述基于柔性衬底的忆阻器器件，包括：柔性衬底；形成于该柔性衬底之上的下电极；形成于该下电极之上的记忆存储层；以及形成于该记忆存储层之上的上电极。所述制作基于柔性衬底的忆阻器器件的方法，包括：提供一柔性衬底；在该柔性衬底之上生长下电极；在该下电极之上生长记忆存储层；以及在该记忆存储层之上生长上电极。本发明提供的忆阻器器件具有结构简单、可弯曲、质量轻、便于携带等优点，大大拓宽了忆阻器器件的使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 柔性 衬底 忆阻器 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于柔性衬底的忆阻器器件，其特征在于，包括：柔性衬底(100)；形成于该柔性衬底(100)之上的下电极(101)；形成于该下电极(101)之上的记忆存储层(102)；以及形成于该记忆存储层(102)之上的上电极(103)。
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