[发明专利]以预合金靶进行一次溅镀方式制作半导体化合物薄膜层方法

摘要

本发明系提出一种以IB-IIB-IVA形成预合金靶材(预合金：将靶材元素选自至少一种以上之元素与靶材其他元素组合形成预合金)，利用此单一预合金靶材制作前驱膜层，避免因多步骤溅镀时需使用较多的靶材，大幅降低靶材损耗与增加靶材使用率；并以一次溅镀方式制作薄膜，更可以大幅简化制程步骤及降低设备成本。本发明目标为半导体化合物I-II-IV-VI太阳电池，既具有与铜铟二硒(CIS)可比拟的光电学特性，又因不包含地球资源匮乏的贵金属铟且铜、锌、锡、硫等元素存量丰富、对环境无污染且造价低廉，很有希望成为新一代低成本高效率薄膜太阳电池的理想吸收层材料。

主权项

本发明主要目的是提供一种以预合金靶材进行一次溅镀方式，制作半导体化合物薄膜层的制造方法，包含以下步骤；使用含有IB族、IIB族、IVA族等元素所组成之预合金靶材，将此预合金靶材进行溅镀反应并同时或稍后通入含VIA族元素之气体，以形成具有IB‑IIB‑IVA‑VIA元素所组成之半导体化合物薄膜。