[发明专利]一种量子点材料的制作装置及制作方法有效
| 申请号： | 201110224270.7 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102916343A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 彭长四 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子点材料的制作装置和制作方法，该制作装置通过在现有的外延装置中添加了可以产生干涉图像的光学装置，使得衬底在进行外延的同时，在外延层上施加一个干涉图像。通过该干涉图像，在外延层上形成一个规则分布的温度场，使得外延层在温度较高的点位上开始形成原子聚集现象，而在温度相对较低的区域则没有原子聚集。如此一来，根据外延表面温度的分布情况，就能人为的控制量子点产生的位置而不引入缺陷，实现一种无缺陷的长程有序的量子点制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 材料 制作 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
一种量子点材料制作装置，其特征在于：包括外延装置以及用于产生干涉图像的光学装置，所述外延装置包括生长室，所述生长室为真空腔室，用于放置一衬底材料，该生长室腔壁上设有可供光线射入的多个窗口，所述光学装置包括激光光源和调制光路，光束从激光光源射出后，经所述调制光路分成多束光，该多束光分别通过所述多个窗口后射入生长室中，并在所述衬底材料表面形成干涉图像。
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