[发明专利]一种MgxZn1-xO电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法

摘要

本发明公开了一种MgxZn1-xO电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法，它是以镀有ITO、AZO等透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底；将配制好的MgxZn1-xO溶胶滴到衬底上，再进行匀胶，制作湿膜，并进行低温烘干处理；将烘干处理过的薄膜进行预热处理；直至获得所需厚度的MgxZn1-xO薄膜；对上述MgxZn1-xO薄膜进行退火处理，使薄膜晶化；样品自然冷却后即可获得MgxZn1-xO电致阻变薄膜；再在薄膜表面上采用直流磁控溅射工艺制备金属上电极薄膜，获得“金属薄膜/MgxZn1-xO/透明导电氧化物薄膜”非对称结构异质结。本发明的优点是：（1）能够大面积制膜，成本低；（2）具有较高的高/低电阻比值和较低的设置电压及复位电压；（3）可大大提高电致阻变薄膜的抗疲劳特性，并可应用于透明电子领域。

主权项

一种MgxZn1‑xO电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）以镀有ITO、AZO等透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底，并对衬底进行表面处理和清洗；（2）配制MgxZn1‑xO溶胶； （3）将配制好的溶胶滴到衬底上，再进行匀胶，制作湿膜；（4）对匀好胶的湿膜进行低温烘干处理，去除湿膜中的碳、氢成分；（5）将烘干处理过的薄膜进行预热处理；（6）重复上述步骤(3)‑(5)，根据所需薄膜的厚度确定重复次数，直至获得所需厚度的MgxZn1‑xO薄膜；（7）对上述MgxZn1‑xO薄膜在空气环境、一定温度下进行退火处理，使薄膜晶化；（8）样品自然冷却后即可获得MgxZn1‑xO电致阻变薄膜；（9）在MgxZn1‑xO电致阻变薄膜表面上采用直流磁控溅射工艺制备金属上电极薄膜，获得“金属薄膜/MgxZn1‑xO/透明导电氧化物薄膜”非对称结构异质结。