[发明专利]用于扩散磷源的源瓶液位传导温控系统及控制方法有效
| 申请号： | 201110223931.4 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102915914A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 张峰;肖欢;石东益 | 申请（专利权）人： | 茂迪（苏州）新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于扩散磷源的源瓶液位传导温控方法，包括以下步骤：1）采用传感器模块（2）实时检测源瓶（1）中的液位并获得液位数据；2）建立所述液位数据与所述源瓶内温度的对应关系；3）利用所述液位数据与所述源瓶内温度的对应关系，根据液位的变化调整与所述源瓶连接的控温装置（5），使得所述磷源源瓶中的气态分子密度上升直至不同液位情况下，所述源瓶内的分子密度相近。本发明提高了扩散制程的稳定性，有利于搭配前后端制程。同时不需要对因扩散制程波动而生产出的阻值异常硅片进行重工处理。不需要工程师经常调节炉管各个温区温度，从而可以节省人力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 扩散 源瓶液位 传导 温控 系统 控制 方法 | ||
【主权项】：
用于扩散磷源的源瓶液位传导温控方法，其特征在于，包括以下步骤：1)采用传感器模块(2)实时检测源瓶(1)中的液位并获得液位数据；2)建立所述液位数据与所述源瓶内温度的对应关系；3)利用所述液位数据与所述源瓶内温度的对应关系，根据液位的变化调整与所述源瓶连接的控温装置(5)，使得所述磷源源瓶中的气态分子密度上升直至不同液位情况下，所述源瓶内的分子密度相近。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
