[发明专利]不同深度腔体的制造方法无效
| 申请号： | 201110223477.2 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102328899A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张挺;郑晨焱;张艳红;张超;谢志峰;邵凯 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种不同深度腔体的制造方法，包括：提供基底，其划分为多个区域；在基底上形成基底保护层；在基底保护层上形成多个不同尺寸和/或不同形状的窗口；刻蚀基底，在基底中的各个区域分别形成不同尺寸和/或不同深度的凹槽；在基底保护层的表面和凹槽的侧壁与底部淀积隔离层；去除基底保护层表面和凹槽底部的隔离层，在凹槽的侧壁残留的隔离层形成侧壁保护层；继续刻蚀凹槽，在各个区域分别形成不同深度的深槽；湿法腐蚀深槽，在多个区域的基底内部分别形成具有不同深度的腔体。本发明不需要添加额外的工艺步骤和光刻掩膜，就能够实现不同深度和高度的腔体，具有明显的成本竞争优势，尤其适合高集成度的复合传感器的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 不同 深度 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种不同深度腔体的制造方法，包括步骤：提供基底，所述基底按照形成腔体的不同深度被划分为多个区域；在所述基底上形成基底保护层；在所述基底保护层上形成多个不同尺寸和/或不同形状的窗口，直至露出下方的基底；以所述基底保护层为掩模，刻蚀所述基底，在所述基底中的各个区域分别形成不同尺寸和/或不同深度的凹槽；在所述基底保护层的表面和所述凹槽的侧壁与底部淀积隔离层；去除所述基底保护层表面和所述凹槽底部的隔离层，在所述凹槽的侧壁保留的所述隔离层形成侧壁保护层；以所述基底保护层和所述侧壁保护层为掩模，继续刻蚀所述凹槽，在各个区域分别形成不同深度的深槽；采用湿法腐蚀法腐蚀所述深槽，在所述多个区域的基底内部分别形成不同区域具有不同深度的腔体。
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