[发明专利]一种溅射靶材无效
| 申请号： | 201110222796.1 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102912301A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 闵炼锋 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种溅射靶材，包括靶材本体和设置在所述靶材本体上的凸起，所述凸起的表面凹凸不平，所述凸起的高度的变化规律与溅射粒子在靶材各区域的撞击频率的变化规律一致。本发明实施例提供的靶材，在前段消耗中，靶材各处与机台之间距离差距的逐渐减小，所生产的不同批硅片的薄膜厚度的不均匀度逐渐降低；而在后段消耗中，靶材各处与机台之间距离差距的增大，所生产的不同批硅片的薄膜厚度的不均匀性逐渐提高。使用本发明所提供的靶材，从整体上看，在采用同一个靶材形成的所有薄膜中，薄膜厚度的均匀性先提高后降低，前后平均后，提高了整体薄膜厚度的均匀性，从而提高了采用同一个靶材溅射形成的薄膜的电阻的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溅射 | ||
【主权项】：
一种溅射靶材，其特征在于，包括靶材本体和设置在所述靶材本体上的凸起，所述凸起的表面凹凸不平，所述凸起的高度的变化规律与溅射粒子在靶材各区域的撞击频率的变化规律一致。
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