[发明专利]一种Si-C-O微纳米多孔陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110219908.8 申请日: 2011-08-02
公开(公告)号: CN102311276A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 李永明;王丁;徐彩虹;吴纪全;王秀军;陈丽敏 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: C04B38/00 分类号: C04B38/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种Si-C-O微纳米多孔材料及其制备方法。该方法包括如下步骤:(1)有机硅聚合物、催化剂和溶剂进行混合得到混合物,将所述混合物进行加热固化成型得到凝胶固体;(2)将所述凝胶固体升温至400℃-850℃进行热解得到有机树脂基、半有机半无机或准无机基的微纳米多孔材料;(3)将所述有机树脂基、半有机半无机或准无机基的微纳米多孔材料升温至850℃-1500℃进行热解即得所述Si-C-O微纳米多孔材料;所述有机硅聚合物为式(I)所示聚硅氧烷和有机硅树脂中至少一种。本发明的方法制备的微纳米多孔Si-C-O材料比氧化硅具有更高的耐温性能,比炭材料具有更高的耐热氧化性能。
搜索关键词: 一种 si 纳米 多孔 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种Si-C-O微纳米多孔材料的制备方法,包括如下步骤:(1)有机硅聚合物、催化剂和溶剂进行混合得到混合物,将所述混合物进行加热固化成型得到凝胶固体;(2)将所述凝胶固体升温至400℃-850℃进行热解得到有机树脂基、半有机半无机或准无机基的微纳米多孔材料;(3)将所述有机树脂基、半有机半无机或准无机基的微纳米多孔材料升温至850℃-1500℃进行热解即得所述Si-C-O微纳米多孔材料;所述有机硅聚合物为式(I)所示聚硅氧烷和有机硅树脂中至少一种;式(I)中,R为氢原子、乙烯基、羟基或甲基;R′为甲基、苯基、CH2CH2Ph、CH2CH2CN、CH2CH2CO2CH3、CH2CH2CO2C4H9、CH2CH(CH3)CO2CH3或CH2CH2OR”,R”为C1-20的烷基、环烷基、醚或醇;x+y+z=1,x/y=0.2-5,z=0-0.4;n为40-1500之间的数。
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